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FDC6401N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDC6401N product

FDC6401N

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal20V

Der FDC6401N ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOT-23-6-Gehäuse, optimiert für 20V-Energieverwaltungsanwendungen.

Ideal für

  • Lastschalter
  • Notebook-Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für 4A Dauerbetrieb

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
4 A
RDS(ON)
22 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDC6401N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-MOSFET für effizientes Schalten, mit einer Drain-Source-Spannung von 20V und einer Stromkapazität von 4A.