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FDC6561AN KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDC6561AN product

FDC6561AN

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalPowerTrench

Der FDC6561AN ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im kompakten SuperSOT-6-Gehäuse, optimiert für DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • Batteriebetriebene DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 2,5A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand RθJA

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
2,5 A
Rds(on)
0,095 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

DSA-227700.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDC6561AN laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer N-Kanal-Logikpegel-MOSFET mit PowerTrench-Technologie für effizientes Schalten in kompakten Systemen.