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FDD306P-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDD306P-HXY product

FDD306P-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20V60ADPAK

Der FDD306P ist ein N-Kanal-MOSFET mit 20V und 60A im DPAK-Gehäuse, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen wie Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Niederspannungs-Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
60 A
RDS(on)
6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

52e26b98b49e781f12afffa6611638a1_2309211852_HXY-MOSFET-FDD306P-HXY_C18198385.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDD306P-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDD306P ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HXY MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.