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FDD3860 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDD3860 product

FDD3860

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VPowerTrench

Der FDD3860 ist ein 100V N-Kanal PowerTrench MOSFET im D-PAK-Gehäuse, der für effiziente Schaltanwendungen und Stromwandlung optimiert ist.

Ideal für

  • DC-AC-Wandlung
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen für Ihr PCB-Layout

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
29 A
RDS(on)
36 mΩ
Gehäuse
TO-252

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

Fairchild-Semiconductor-company-11.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDD3860 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDD3860 ist ein N-Kanal PowerTrench MOSFET von onsemi mit einer Nennspannung von 100V und 29A, untergebracht in einem oberflächenmontierbaren D-PAK (TO-252) Gehäuse.