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FDD6530A-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDD6530A-HXY product

FDD6530A-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal20VTO-252

Der FDD6530A ist ein 20V, 20A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Hochfrequenzanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 20V Vds

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Vds
20V
Id
20A
Rds(on)
16mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungHochfrequenzschaltungen

Datenblatt

43f0d3eef289aaf2aa9f754c4b73b02f_2403261738_HXY-MOSFET-FDD6530A-HXY_C22366839.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDD6530A-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDD6530A ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung optimiert wurde.