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FDD6612A-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDD6612A-HXY product

FDD6612A-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VDPAK

Der FDD6612A ist ein 30V, 20A N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, der für Batterieschutz, Lastschaltung und USV-Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V
  • Hochfrequenzanwendungen, bei denen die Gate-Ladung kritisch ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
20 A
RDS(ON)
25 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

31e75e1872327dea3e334cab42476c45_2403261655_HXY-MOSFET-FDD6612A-HXY_C22366530.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDD6612A-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDD6612A ist ein N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der fortschrittliche Trench-Technologie für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung nutzt.