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FDD6635-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDD6635-HXY product

FDD6635-HXY

MOSFETs

MOSFETN-Kanal40VDPAK

Der FDD6635-HXY ist ein 40V, 60A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
60 A
RDS(ON)
8,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

0ef36fe76b22edb9a41495a38e218e54_2403261739_HXY-MOSFET-FDD6635-HXY_C22366948.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDD6635-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.