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FDD8424H-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDD8424H-HXY product

FDD8424H-HXY

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN+P KanalTrench-Technologie

Der FDD8424H ist ein dualer N+P-Kanal-MOSFET im TO-252-4L-Gehäuse, der für Schaltanwendungen wie kabelloses Laden und Motortreiber entwickelt wurde.

Ideal für

  • Kabelloses Laden
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 40W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
40V / -40V
ID
20A / -20A

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Kabelloses LadenMotorsteuerung

Datenblatt

e1d774d9a3546a72f735c4e6673db3a9_2403261737_HXY-MOSFET-FDD8424H-HXY_C22366760.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDD8424H-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N+P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie verwendet.