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FDD8445-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDD8445-HXY product

FDD8445-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal40VTO-252

Der FDD8445-HXY ist ein 40V, 60A N-Kanal-Trench-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Lastmanagementanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss
40 V
Id
60 A
RDS(on)
8,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

7e8bcc26dc51c89094b8dc7b610accb9_2405211553_HXY-MOSFET-FDD8445-HXY_C22367192.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDD8445-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie nutzt und für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.