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FDD86367 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDD86367 product

FDD86367

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal80V100APowerTrench

Der FDD86367 ist ein leistungsstarker 80V, 100A N-Kanal PowerTrench MOSFET im DPAK3-Gehäuse, ideal für Kfz- und Industrie-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Antriebsstrang-Management
  • Motor- und Magnetventil-Treiber
  • Primärschalter für 12V-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem flache Gehäuse erfordern (DPAK3 hat eine signifikante Bauhöhe).
  • Designs, bei denen die Wärmeableitung auf der Leiterplatte stark eingeschränkt ist.

Vor der Verwendung prüfen

  • Stellen Sie sicher, dass das PCB-Layout die thermischen Anforderungen für 227W Verlustleistung unterstützt.
  • Überprüfen Sie, ob die Gate-Ansteuerspannung ausreicht, um den RDS(on) von 3,3 mΩ zu erreichen.

Wichtige Specs

VDSS
80 V
ID (Dauerstrom)
100 A
RDS(on) (Typ)
3,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Antriebsstrang-ManagementMotortreiber

Datenblatt

Fairchild-Semiconductor-company-11.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDD86367 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDD86367 ist ein N-Kanal-MOSFET von onsemi mit einer Drain-Source-Spannung von 80V und einem Dauerstrom von 100A, optimiert für hocheffiziente Leistungsanwendungen.