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FDD8780-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDD8780-HXY product

FDD8780-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VTO-252

Der FDD8780 ist ein 30V, 60A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Energiemanagementanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
60 A
RDS(ON)
7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDD8780-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung optimiert ist.