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FDD8782-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDD8782-HXY product

FDD8782-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VTO-252

Der FDD8782 ist ein 30V, 60A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für niedrigen Einschaltwiderstand und effizientes Schalten in Leistungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
60 A
RDS(on)
7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

baa0e9216c538968224b053248918c0c_2403261741_HXY-MOSFET-FDD8782-HXY_C22367127.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDD8782-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDD8782 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde und sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringe Gate-Ladung auszeichnet.