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FDMC4435BZ KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDMC4435BZ product

FDMC4435BZ

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETPower Trench30V

Der FDMC4435BZ ist ein leistungsstarker P-Kanal Power Trench MOSFET, der für das Energiemanagement in tragbaren Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • Notebooks
  • Tragbare Akkus
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik oder Spannungen über -30V erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout zur Wärmeableitung.

Wichtige Specs

Vds
-30 V
Id
-18 A
Rds(on)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

Fairchild-Semiconductor-company-11.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDMC4435BZ laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen -30V, -18A P-Kanal MOSFET von onsemi, der Power Trench-Technologie für einen niedrigen Einschaltwiderstand nutzt.