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FDMC510P-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDMC510P-HXY product

FDMC510P-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrench-Technologie

Der FDMC510P ist ein P-Kanal-MOSFET im DFN3x3-8L-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Lastschaltung mit niedrigem RDS(ON).

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochspannungssysteme über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-60 A
RDS(on)
< 10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

29733be0a03b8f9b73e20b67e90af1ff_2404231719_HXY-MOSFET-FDMC510P-HXY_C22366830.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDMC510P-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten in kompakten Anwendungen entwickelt wurde.