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FDMC8884-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDMC8884-HXY product

FDMC8884-HXY

MOSFETs

N-KanalMOSFET30VDFN3x3

Der FDMC8884 ist ein 30V, 20A N-Kanal-MOSFET im kompakten DFN3x3-8L-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
20 A
RDS(on)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

90fc717c8062d78050ceaccaa222afd8_2403261738_HXY-MOSFET-FDMC8884-HXY_C22366921.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDMC8884-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für effizientes Schalten in kompakten Leistungsanwendungen entwickelt wurde.