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FDN308P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDN308P product

FDN308P

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETPowerTrenchSuperSOT-3

Der FDN308P ist ein P-Kanal-MOSFET mit 20V und 1,5A im SuperSOT-3-Gehäuse, der für effizientes Energiemanagement, Lastschaltung und Batterieschutz entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batteriebetriebene Geräte
  • Kompaktes Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die hohe Ströme (>1,5A) oder hohe Spannungen (>20V) erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
-20 V
Dauer-Drainstrom
-1,5 A
RDS(on) bei -4,5V
125 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

DSA-206437.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDN308P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDN308P ist ein P-Kanal-PowerTrench-MOSFET von onsemi, spezifiziert für -20V und -1,5A, untergebracht in einem kompakten SuperSOT-3-Gehäuse.