ProjektePreiseInsights

FDN337N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDN337N product

FDN337N

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2330V

Der FDN337N ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für niedrigen Einschaltwiderstand in tragbaren Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung in tragbaren Geräten
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 0,5W Verlustleistung
  • Anwendungen, die eine Hochspannungsisolierung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen
  • Kompatibilität der Gate-Schwellenspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
2,2 A
RDS(on)
65 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Tragbare ElektronikEnergieverwaltung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDN337N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDN337N ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von FUXINSEMI, der fortschrittliche Trench-Technologie für effizientes Schalten nutzt.