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FDN338P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDN338P product

FDN338P

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Trench DMOS

Der FDN338P ist ein P-Kanal-Trench-DMOS-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für hocheffiziente Schaltanwendungen in tragbaren Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • Notebooks
  • Lastschalter
  • Handheld-Geräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hohen Spannungen (über -20V) oder hohen Strömen (über -2A).

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) und Anforderungen an die Wärmeableitung.

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-2.0 A
RDS(on)
85 mΩ (Typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

fd8b0dfdd0dbd4de2a2c077775f1f083_2109031030_TECH-PUBLIC-FDN338P_C2890130.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDN338P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDN338P ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET von MSKSEMI, der Trench-DMOS-Technologie für verbesserte Schaltleistung nutzt.