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FDN360P-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDN360P-HXY product

FDN360P-HXY

MOSFETs

P-KanalMOSFETSOT-2330V

Der FDN360P ist ein P-Kanal-MOSFET mit -30V und -4.1A im SOT-23-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 4A
  • Umgebungen mit extrem hohen Temperaturen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-4.1 A
RDS(ON)
56 mΩ
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

4ea9fa3720909b83f08320d33cbb9f25_2403261742_HXY-MOSFET-FDN360P-HXY_C22367255.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDN360P-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDN360P ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für die Oberflächenmontage, der fortschrittliche Trench-Technologie für effizientes Schalten nutzt.