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FDN537N-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDN537N-HXY product

FDN537N-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalSOT-2330V

Der FDN537N ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen mit niedriger Spannung.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Niederspannungs-Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Kompatibilität der Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
5.8 A
RDS(on)
22 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDN537N-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten bei niedrigen Gate-Spannungen ausgelegt ist.