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FDN537N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDN537N product

FDN537N

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalPower Trench

Der FDN537N ist ein 30V N-Kanal Power Trench MOSFET für effiziente DC-DC-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die größere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
6.5 A
RDS(on)
23 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

1579992.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDN537N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal Power Trench MOSFET von onsemi mit 30V und 6.5A Nennstrom.