FDN86501LZ-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

FDN86501LZ-HXY product

Der FDN86501LZ ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET (60V, 4,5A) im SOT-23-3L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

Batterieschutz
Lastschalter
PWM-Anwendungen

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von mehr als 4,5A oder deutlich höhere Spannungen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

Die thermische Anbindung auf der Leiterplatte, da das SOT-23-3L-Gehäuse eine begrenzte Oberfläche zur Wärmeabfuhr bietet.

Wichtige Specs

VDS: 60 V
ID: 4,5 A
RDS(ON) @ 10V: 85 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromversorgungBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDN86501LZ-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung auszeichnet.