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FDS4897C-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS4897C-HXY product

FDS4897C-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalSOP-8

Der FDS4897C ist ein dualer N+P-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Batterieschutz und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Kompakte Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,67W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Schwellenspannung und Wärmewiderstand

Wichtige Specs

VDS
40V / -40V
ID
7,2A / -6,5A
RDS(on)
26mΩ / 44mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

cfa6da80204f2f43d330638fdec0b749_2403261743_HXY-MOSFET-FDS4897C-HXY_C22367333.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS4897C-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N- und P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert.