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FDS4935BZ-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS4935BZ-HXY product

FDS4935BZ-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETP-KanalDualSOP-8

Der FDS4935BZ ist ein dualer P-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für effizientes Schalten in PWM- und Lastschaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • PWM-Anwendungen
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-High-Side-Schaltung erfordern
  • Extrem leistungsstarke Umgebungen über 1,5W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-8.5 A
RDS(on)
18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

e91ffc71984c8072693ea4ac7c87c3b8_2404231719_HXY-MOSFET-FDS4935BZ-HXY_C22367183.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS4935BZ-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie nutzt und in einem SOP-8-Gehäuse untergebracht ist.