ProjektePreiseInsights

FDS6630A-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS6630A-HXY product

FDS6630A-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VSOP-8

Der FDS6630A ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V oder Strömen deutlich über 8.5A.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei kontinuierlichem Hochstrombetrieb.

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
8.5 A
RDS(ON)
18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

b576aa1214dd619c5b7057c4b0dbe52e_2403261735_HXY-MOSFET-FDS6630A-HXY_C22366583.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS6630A-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für effizientes Schalten in Niederspannungsanwendungen.