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FDS6670A-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS6670A-HXY product

FDS6670A-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VSOP-8

Der FDS6670A ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V
  • Anwendungen mit extrem begrenztem thermischen Platz

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
18 A
RDS(on)
5,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

723975623a29118ede9b1f66f41f41c0_2403251713_HXY-MOSFET-FDS6670A-HXY_C22366456.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS6670A-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen mittels Trench-Technologie entwickelt wurde.