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FDS6675BZ KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS6675BZ product

FDS6675BZ

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETPowerTrenchSO-8

Der FDS6675BZ ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET, der für niedrigen Einschaltwiderstand und batteriebetriebene Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Notebook-Energiemanagement
  • Tragbare Akkupacks
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochspannungssysteme über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-11 A
RDS(on)
13 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergiemanagementTragbare Akkupacks

Datenblatt

DSA-198027.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS6675BZ laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen -30V, -11A P-Kanal PowerTrench MOSFET im SO-8-Gehäuse, der für effizientes Energiemanagement entwickelt wurde.