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FDS6676AS-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS6676AS-HXY product

FDS6676AS-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VSOP-8

Der FDS6676AS ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für niedrigen RDS(on) und effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V
  • Anwendungen mit extrem hoher Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeauslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
18 A
RDS(on)
5.5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

79063dd52f4c4ace771be57549491b01_2403251713_HXY-MOSFET-FDS6676AS-HXY_C22366462.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS6676AS-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDS6676AS ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde und sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringe Gate-Ladung auszeichnet.