ProjektePreiseInsights

FDS6680AS-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS6680AS-HXY product

FDS6680AS-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VSOP-8

Der FDS6680AS ist ein 30V, 15A N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Batterieschutz entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 30V Drain-Source-Spannung

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
15 A
RDS(ON)
10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

67b79f0a8159721f85a55e07fa6c5aaa_2403261654_HXY-MOSFET-FDS6680AS-HXY_C22366890.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS6680AS-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.