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FDS6690AS-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS6690AS-HXY product

FDS6690AS-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalSOP-830V

Der FDS6690AS ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Batterieschutz- und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V
  • Hochleistungsdesigns, die die thermischen Verlustleistungsgrenzen des SOP-8-Gehäuses überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
15 A
RDS(ON)
10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzLastschalter

Datenblatt

596fe7b66c34ec304ed8ef3f017cdb47_2404231719_HXY-MOSFET-FDS6690AS-HXY_C22366789.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS6690AS-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDS6690AS ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für effizientes Schalten entwickelt wurde und sich durch einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung auszeichnet.