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FDS6910-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS6910-HXY product

FDS6910-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalSOP-8

Der FDS6910-HXY ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für Niederspannungs-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss
30V
Id
11,5A
RDS(on)
<30mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

66dc1312fcdd19905ba363cd99d7bea3_2403261740_HXY-MOSFET-FDS6910-HXY_C22367033.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS6910-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten ausgelegt ist.