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FDS86267P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS86267P product

FDS86267P

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalPowerTrench

Der FDS86267P ist ein -150V P-Kanal PowerTrench MOSFET im SO-8 Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Lastmanagement.

Ideal für

  • Active-Clamp-Schaltungen
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme über 2.2A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vds
-150 V
Id
-2.2 A
Rds(on)
255 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
nan
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS86267P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal Shielded Gate PowerTrench MOSFET mit einer Nennspannung von -150V und einem Strom von -2.2A.