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FDS8949-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS8949-HXY product

FDS8949-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalSOP-8

Der FDS8949 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 40V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
12 A
RDS(ON)
16 mΩ
Gehäuse
SOP-8

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatteriemanagementLastschaltung

Datenblatt

260e9744bc4743f9dff341046f88dbb2_2403261739_HXY-MOSFET-FDS8949-HXY_C22366957.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS8949-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für effizientes Schalten und Batterieschutz entwickelt wurde.