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FDS8958B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS8958B product

FDS8958B

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalPowerTrench

Der FDS8958B ist ein dualer N- und P-Kanal-MOSFET im SOIC-8-Gehäuse, optimiert für das Energiemanagement bei niedrigen Spannungen.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Batteriebetriebene Motorantriebe

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,6 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

N-Kanal VDS
30V
P-Kanal VDS
-30V
N-Kanal RDS(on)
26mΩ
P-Kanal RDS(on)
51mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementMotorsteuerung

Datenblatt

Fairchild-Semiconductor-company-11.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS8958B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N- und P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von onsemi, der die PowerTrench-Technologie für effizientes Schalten nutzt.