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FDS9945-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDS9945-HXY product

FDS9945-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalSOP-8

Der FDS9945-HXY ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, ausgelegt für 60V, 6.5A Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 2.1W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
6.5 A
RDS(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungIndustrie

Datenblatt

af3e3e70d3c5f681212ffb67bb1be0ae_2403261655_HXY-MOSFET-FDS9945-HXY_C22366501.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDS9945-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, optimiert für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung.