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FDT86246 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDT86246 product

FDT86246

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET150VSOT-223

Der FDT86246 ist ein 150V, 2A N-Kanal Power Trench MOSFET im SOT-223 Gehäuse, ideal für Last- und Primärschaltanwendungen.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Primärschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme deutlich über 2A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
150 V
ID
2 A
RDS(on)
236 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

Fairchild-Semiconductor-company-11.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDT86246 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET, der die Power-Trench-Technologie von onsemi nutzt und für 150V und 2A ausgelegt ist.