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FDV301N-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDV301N-HXY product

FDV301N-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalSOT-2330V

Der FDV301N ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Anwendungen mit geringer Leistung wie Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Schalten kleiner Lasten
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochstrom-Leistungsschaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsgrenzen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
0,1 A
RDS(ON)
< 2,2 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzLastschaltung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDV301N-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDV301N ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für Niederspannungs-Schaltanwendungen optimiert ist.