FDV303N-ES Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | ElecSuper | PartGenie

KI-Zusammenfassung

FDV303N-ES product

Der FDV303N-ES ist ein 20V N-Kanal-Trench-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Schalten und DC-DC-Wandlung optimiert ist.

Ideal für

DC-DC-Wandler
Lastschalter
Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

Anwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS: 20 V
ID: 1,25 A
RDS(ON): 220 mΩ (Typ)

Compliance & Umwelt

RoHS: Yes
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergieverwaltungDC/DC-Wandlung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDV303N-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand nutzt.