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FDV303N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDV303N product

FDV303N

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2330V

Der FDV303N ist ein 30V N-Kanal-Trench-DMOS-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für hocheffiziente Schaltanwendungen in kompakten Stromversorgungsschaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • Notebook-Stromversorgung
  • Lastschalter
  • LED-Treiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die hohe Ströme über 2A erfordern
  • Umgebungen mit Temperaturen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
2,0 A
RDS(ON)
300 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

NotebookLastschalterLED-Anwendungen

Datenblatt

Fairchild-Semiconductor-company-11.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDV303N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FDV303N ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von MSKSEMI, der Trench-DMOS-Technologie verwendet, um einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen.