ProjektePreiseInsights

FDY102PZ-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDY102PZ-HXY product

FDY102PZ-HXY

MOSFETs

P-KanalMOSFETSOT-523Trench-Technologie

Der FDY102PZ ist ein kompakter P-Kanal-MOSFET im SOT-523-Gehäuse, der für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Niederspannungs-Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 0,66 A

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-0,66 A
RDS(on)
560 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzLastschalter

Datenblatt

702ba03830f116a8d72168f03d1120d8_2403261740_HXY-MOSFET-FDY102PZ-HXY_C22367051.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDY102PZ-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für Niederspannungsschaltanwendungen entwickelt wurde.