Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, der in einem kleinen SOT-523-Gehäuse untergebracht ist.
FDY300NZ-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
FDY300NZ-HXY
MOSFETs
Wichtige Specs
- VDS
- 20 V
- ID
- 0,8 A
- RDS(on)
- 250 mΩ
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für FDY300NZ-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.