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FFSB20120A KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FFSB20120A product

FFSB20120A

Diodes - Rectifiers - Single

SiCSchottky1200VLeistungsdiode

Die FFSB20120A ist eine leistungsstarke 1200V, 20A Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode im D2PAK-3 Gehäuse, ideal für hocheffiziente Stromwandler.

Ideal für

  • Solarwechselrichter
  • USV-Systeme
  • Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs- und kostengünstige Verbraucheranwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen auf der Leiterplatte.

Wichtige Specs

Sperrspannung
1200 V
Durchlassstrom
20 A
Max. Sperrschichttemperatur
175°C

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

ffsb20120a-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FFSB20120A laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1200V, 20A Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode von onsemi, die für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.