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FGY100T120SWD KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FGY100T120SWD product

FGY100T120SWD

Transistors - IGBTs - Single

IGBT1200VLeistungselektronik

Der FGY100T120SWD ist ein leistungsstarker 1200V, 100A Field Stop VII IGBT, der für hocheffiziente Leistungswandlung in Solar-, USV- und Energiespeichersystemen optimiert ist.

Ideal für

  • Solar-Wechselrichter
  • USV
  • Energiespeichersysteme

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen niedriger spezifizierte IGBTs kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Treiber-Anforderungen.

Wichtige Specs

Kollektor-Emitter-Spannung
1200 V
Kollektorstrom
100 A
Max. Sperrschichttemperatur
175°C

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungswandlung

Datenblatt

fgy100t120swd-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FGY100T120SWD laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal Field Stop VII IGBT der 7. Generation von onsemi, ausgelegt für 1200V und 100A, mit integrierter Co-PAK-Diode.