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FHD201610S-1R0MT KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FHD201610S-1R0MT product

FHD201610S-1R0MT

Chokes

LeistungsinduktorSMD1µH

Der FHD201610S-1R0MT ist ein 1µH drahtgewickelter SMD-Leistungsinduktor von CJIANG, der für kompakte Elektronik wie Smartphones und tragbare Geräte entwickelt wurde.

Ideal für

  • Kompakte Stromversorgungsschaltungen
  • Tragbare Unterhaltungselektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Dauerlasten über 2,3A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung bei hochdichten Leiterplattenlayouts

Wichtige Specs

Induktivität
1 µH
Sättigungsstrom
3,8 A
Wärmestrom
2,3 A

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikEnergieverwaltung

Datenblatt

c00f7bbb2b4ce3b9eec2f2b69ea69cbd_2304140030_cjiang--Changjiang-Microelectronics-Tech-FHD201610S-1R0MT_C601994.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FHD201610S-1R0MT laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet eine Induktivität von 1µH, eine Toleranz von ±20%, einen Sättigungsstrom von 3,8A, einen Wärmestrom von 2,3A und einen typischen Gleichstromwiderstand (DCR) von 78mΩ im 2016-Gehäuse.