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FHD201610S-8R2MT KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FHD201610S-8R2MT product

FHD201610S-8R2MT

Chokes

LeistungsinduktorSMD2016

Der FHD201610S-8R2MT ist ein 8,2µH drahtgewickelter SMD-Leistungsinduktor im 2016-Gehäuse für kompakte Anwendungen.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • IoT-Geräte
  • Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 1A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Kurven bei hohen Temperaturen

Wichtige Specs

Induktivität
8,2 µH
Nennstrom
760 mA
Gleichstromwiderstand
670 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikEnergieverwaltung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FHD201610S-8R2MT laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen geschirmten drahtgewickelten Leistungsinduktor von CJiang mit 8,2µH Induktivität und einem 2016-Gehäuse.