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FHD252010S-2R2MT KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FHD252010S-2R2MT product

FHD252010S-2R2MT

Chokes

GeschirmtSMDLeistungsinduktor

Der FHD252010S-2R2MT ist ein kompakter, geschirmter 2,2-µH-Leistungsinduktor, der sich ideal für platzkritische DC-DC-Wandler und Stromversorgungsanwendungen eignet.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • DC-DC-Wandler
  • IoT-Geräte

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 2 A
  • Extreme thermische Umgebungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Induktivitäts-Strom-Kennlinie
  • Temperaturanstiegskurve

Wichtige Specs

Induktivität
2,2 µH
Nennstrom
1,8 A
Sättigungsstrom
2,2 A

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

d88bd50701e633d08b26265d876404b3_2304140030_cjiang--Changjiang-Microelectronics-Tech-FHD252010S-2R2MT_C602004.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FHD252010S-2R2MT laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen drahtgewickelten SMD-Leistungsinduktor von CJiang Technology mit einer Induktivität von 2,2 µH und einem 2520 (1008) Gehäuse.