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FHTA8550Y-ME KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FHTA8550Y-ME product

FHTA8550Y-ME

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBJTSOT-23Schalten

Der FHTA8550Y-ME ist ein PNP-Bipolartransistor im SOT-23-Gehäuse, der für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen in elektronischen Schaltungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltaufgaben
  • Signalverstärkung
  • Treiberstufen mit geringer Leistung

Vermeiden, wenn

  • Leistungsanwendungen über 300mW
  • Hochfrequenz-HF-Schaltungen

Vor der Verwendung prüfen

  • hFE-Verstärkungsbereich
  • Thermische Belastungsgrenzen

Wichtige Specs

Typ
PNP
VCEO
25 V
IC
500 mA
hFE
160-300

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine AnwendungenSchaltanwendungen

Datenblatt

7e356e2939a2ec79ca62be65f52f43dd_1912111437_FH--Guangdong-Fenghua-Advanced-Tech-FHTA8550Y-ME_C336150.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FHTA8550Y-ME laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Bipolartransistor (BJT) von Fenghua, der in einem kompakten SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert wird.