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FM22L16-55-TG KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FM22L16-55-TG product

FM22L16-55-TG

Memory

F-RAMNichtflüchtigSRAM-Ersatz

Der FM22L16-55-TG ist ein 4-Mbit nichtflüchtiger F-RAM-Speicher, organisiert als 256 K x 16, der als direkter Ersatz für asynchrone SRAMs konzipiert ist.

Ideal für

  • Industrielle Anwendungen
  • Häufige Datenprotokollierung
  • Ersatz für batteriegepufferte SRAMs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem kostengünstigen flüchtigen Speicher erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Spannungspegel und Timing-Anforderungen

Wichtige Specs

Speichergröße
4 Mbit
Zugriffszeit
55 ns
Spannung
2,7 V - 3,6 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

IndustriellAllgemein

Datenblatt

Infineon-FM22L16_4_MBIT_(256K_X_16)_F-RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FM22L16-55-TG laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 4-Mbit ferroelektrischen Direktzugriffsspeicher (F-RAM), der nichtflüchtige Datenspeicherung mit SRAM-ähnlicher Lese-/Schreibleistung bietet.