ProjektePreiseInsights

FNR3012S2R2MT KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FNR3012S2R2MT product

FNR3012S2R2MT

Chokes

GeschirmtLeistungsinduktivitätSMD

Der FNR3012S2R2MT ist eine kompakte, geschirmte Leistungsinduktivität mit 2,2µH und 1,9A Sättigungsstrom, ideal für platzkritische DC-DC-Wandler.

Ideal für

  • Tragbare Stromversorgungen
  • Smartphones
  • LED-Treiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spitzenströmen über 1,9A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeentwicklung bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

Induktivität
2,2 µH
Sättigungsstrom
1,9 A
Gleichstromwiderstand
98 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikEnergieverwaltung

Datenblatt

a9f90c7987c764b2c193c02c69f7be49_2304140030_cjiang--Changjiang-Microelectronics-Tech-FNR3012S2R2MT_C528008.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FNR3012S2R2MT laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Eine drahtgewickelte, magnetisch geschirmte SMD-Leistungsinduktivität von CJiang für kompakte Elektronik.