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FPB252012D-1R5MT0 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FPB252012D-1R5MT0 product

FPB252012D-1R5MT0

Chokes

LeistungsinduktorSMD1,5µH

Der FPB252012D-1R5MT0 ist ein 1,5µH geformter SMD-Leistungsinduktor im 1008-Gehäuse, ideal für DC/DC-Wandler in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • DC/DC-Leistungswandlung
  • Kompakte tragbare Geräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spitzenströmen über 4A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung bezüglich Selbsterwärmung

Wichtige Specs

Induktivität
1,5 µH
Sättigungsstrom
4,0 A
Gleichstromwiderstand
63 mΩ
Gehäuse
1008

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

44620338587973db6c56950ee1301e83_2407171546_cjiang--Changjiang-Microelectronics-Tech-FPB252012D-1R5MT0_C29780735.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FPB252012D-1R5MT0 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet 1,5µH Induktivität, ±20% Toleranz, 63mΩ max. Gleichstromwiderstand, 4A Sättigungsstrom und 3,1A Temperaturanstiegsstrom.